產(chǎn)品應(yīng)用
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氮化鎵單晶襯底在射頻電子領(lǐng)域的應(yīng)用
- 分類：應(yīng)用領(lǐng)域
- 發(fā)布時間：2022-09-26 10:35:40
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概要:
詳情
- 基于GaN材料的射頻器件，具有高功率、高效率、耐高溫、抗輻照等優(yōu)勢，是迄今最理想的半導(dǎo)體射頻電子器件。
- 基于氮化鎵單晶襯底的HEMT器件，為同時實現(xiàn)高頻率、寬頻譜、高效率、高功率密度、高可靠性提供解決方案。
- 半絕緣氮化鎵，F(xiàn)e摻雜，C摻雜
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